Väitös puolijohdemateriaalien alalta, DI Henri Jussila
Diplomi-insinööri Henri Jussila väittelee Aalto-yliopiston sähkötekniikan korkeakoulussa keskiviikkona 26.9. klo 12. Väitöksen nimi on "Integration of GaAsP based III-V compound semiconductors to silicon technology" (suomeksi: GaAsP-pohjaisten III-V yhdistepuolijohteiden integroiminen piiteknologiaan).
III-V yhdistepuolijohteiden käyttö piiteknologiassa
Viime vuosikymmeninä tapahtunut mikro- ja nanoteknologian kehitys on suurilta osin mahdollistanut puolijohdeteollisuuden ylläpitää niin sanottua Mooren lakia, joka ennustaa transistorien lukumäärän piistä halvasti valmistetuissa mikropiireis-sä kaksinkertaistuvan noin kahden vuoden välein. Tällä hetkellä kehitys on kuitenkin edennyt pisteeseen, jossa komponentit alkavat olla kooltaan jo niin pieniä, että komponenttien mittasuhteet aiheuttavat useita uusia ongelmia. Yksi mahdollinen keino ratkaista tulevaisuudessa ilmenevät ongelmat on uusien materiaalien integraatio piialustakiteille. Tämän avulla voitaisiin esimerkiksi käyttää optista tiedonsiirtoa tietokoneiden sisällä tai myös tehostaa piistä valmistettujen aurinkokennojen toimintaa.
Tässä väitöskirjassa on tutkittu galliumarseenifosfidipohjaisten (GaAsP) puolijohde-materiaalien integraatiota piialustakiteille. Materiaalit valmistettiin metallo-organisella kaasufaasiepitaksialla. Tutkitut näytteet koostuivat piin päälle kasvatetuista GaP-kiteistä, GaAs-nanolangoista ja GaP-alustalle kasvatetuista typellä seostetuista GaAsP-kiteistä. Valmistettuja näytteitä tutkittiin monilla erilaisilla mittausmenetelmillä, jotka paljastivat mielenkiintoista uutta tietoa, jota voidaan soveltaa materiaalien valmistuksen optimoinnissa. Tämän lisäksi tutkituista materiaaleista valmistettiin erilaisia puolijohdekomponentteja. Näistä mielenkiintoisimpia olivat GaAs:sta tehdyt metalli-eriste-puolijohdekondensaattorit ja GaAsPN:stä valmistetut aurinkokennot.
Vastaväittelijä on professori Robert Kudrawiec, (Wroclaw University of Technology, Puola) ja valvoja professori Harri Lipsanen, Aalto-yliopiston sähkötekniikan korkeakoulu, mikro- ja nanotekniikan laitos.
Lisätietoja:
Väitostiedote (pdf)
Väitöskirjan verkko-osoite (otalib.aalto.fi)